Samsung официально объявила о старте массового производства и коммерческих поставок памяти HBM4, став первой компанией, достигнувшей этой вехи. Новинка выделяется применением передового 4-нм техпроцесса для логического слоя и 10-нм технологии (1c) для чипов DRAM, что привело к рекордным характеристикам без радикальных изменений в архитектуре. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, с пиковыми показателями до 13 Гбит/с. Пропускная способность памяти возросла до 3,3 ТБ/с на стек, что превышает прошлые достижения HBM3E в 2,7 раза, что особенно важно для работы с большими языковыми моделями ИИ. Несмотря на увеличение количества контактов ввода-вывода до 2048, удалось достичь улучшения энергоэффективности на 40%. В настоящее время доступны решения объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные), а в будущем планируется выпуск 16-слойных модулей на 48 ГБ. Прогнозы Samsung указывают на трехкратный рост спроса на HBM к 2026 году, наряду с тестированием улучшенной версии HBM4E и началом производства на заказ с 2027 года.
Заголовки
